¡La verificación del interruptor de nivel de amperios del chip de diamante es inminente!

El Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industrial Avanzada (AIST) de Japón, en colaboración con Honda R&D, ha fabricado un prototipo de un MOSFET de diamante tipo p y ha demostrado por primera vez su funcionamiento con conmutación de alta velocidad a nivel de amperios. En el futuro, la compañía planea incorporar esta tecnología en la próxima generación de dispositivos móviles de energía y realizar una verificación operativa con la esperanza de implementarla en la sociedad.

En marzo de 2025, AIST y el Instituto de I+D de Honda anunciaron la creación de un prototipo de MOSFET de diamante tipo p y la demostración, por primera vez, de un funcionamiento de conmutación de alta velocidad a nivel de amperios. En el futuro, planean aplicar esta tecnología a la próxima generación de dispositivos de energía móvil y realizar verificaciones, con la esperanza de implementarla en la sociedad.

Los semiconductores de diamante son reconocidos como los semiconductores más avanzados, con excelentes propiedades, incluyendo la capacidad de lograr una alta eficiencia energética. Por ello, se espera su uso en diversos campos, como los vehículos eléctricos y las energías renovables. Sin embargo, su uso como material semiconductor también presenta numerosos desafíos, como dificultades en el crecimiento y procesamiento de cristales. Además, para su uso práctico, es necesario que sea capaz de manejar grandes corrientes en el rango de amperios y realizar operaciones de conmutación de alta velocidad.

El equipo de investigación aumentó el tamaño del sustrato y desarrolló tecnología de cableado en paralelo para aumentar la corriente. Fabricaron una gran cantidad de MOSFET tipo p sobre un sustrato de diamante de media pulgada y evaluaron sus características tras el cableado en paralelo. Confirmaron que el rendimiento del dispositivo con un ancho de puerta de 1020 μm era excelente y que el rendimiento de fabricación del dispositivo de sustrato era alto.

Además, se conectaron en paralelo los electrodos de fuente, compuerta y drenador de 314 elementos individuales. El método de conexión de compuertas permitió obtener un ancho total de compuerta de aproximadamente 32 cm, y la velocidad de conmutación del elemento se evaluó mediante el método de doble pulso. Los resultados confirmaron que, con una corriente de excitación de 2,5 A, el tiempo de caída fue de 19 nanosegundos y el de subida de 32 nanosegundos.

High Light Intelligence Technology, pionera en la industria del diamante CVD, cuenta con tecnología MPCVD avanzada y talleres de producción de diamantes CVD. Nos centramos en la producción de diamantes de alta pureza cultivados en laboratorio para la industria joyera, a la vez que creamos productos de diamante CVD de grado industrial, que abarcan monocristales, policristalinos, películas y metalización de superficies de diamante, entre otros. También ofrecemos equipos MPCVD de 6kW, 10kW y 15kW para ayudar a nuestros clientes en todos los aspectos, desde el equipamiento hasta los productos y, posteriormente, en servicios integrales, para crear juntos un diamante brillante.

*Los artículos e imágenes son solo para fines de comunicación y difusión de la industria. Si detecta alguna infracción, por favor, contáctenos para eliminarlos.

曼尼森吉他定制

¡La verificación del interruptor de nivel de amperios del chip de diamante es inminente!

分享至微信分享

分享至微信